1. HGT1S14N36G3VLS
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厂商型号

HGT1S14N36G3VLS 

产品描述

IGBT Transistors Coil Dr 14A 360V

内部编号

3-HGT1S14N36G3VLS

#1

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美国费城
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HGT1S14N36G3VLS产品详细规格

文档 PDN#Q1080165 17/Jan/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 390V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 5V, 14A
- 集电极电流(Ic)(最大) 18A
功率 - 最大 100W
Input 型 Logic
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 TO-263AB
包装材料 Tube
产品种类 IGBT Transistors
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
集电极 - 发射极最大电压VCEO 24 V
集电极 - 发射极饱和电压 1.25 V
最大栅极发射极电压 +/- 10 V
连续集电极电流在25 C 18 A
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 250 nA
功率耗散 100 W
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 TO-263AB-3
封装 Tube
连续集电极电流Ic最大 18 A
最低工作温度 - 40 C
安装风格 SMD/SMT
工厂包装数量 50
零件号别名 HGT1S14N36G3VLS_NL
寿命 Obsolete
供应商封装形式 TO-263AB
最大栅极发射极电压 ±10
最大连续集电极电流 18
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
最大集电极发射极电压 330
最大功率耗散 100000
最低工作温度 -40
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 24nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 18A
安装类型 Surface Mount
标准包装 50
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.2V @ 5V, 14A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 390V
供应商设备封装 TO-263AB
功率 - 最大 100W
输入类型 Logic
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

HGT1S14N36G3VLS系列产品

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